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20N06L-JSM实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

20N06L-JSM

1个N沟道 耐压:60V 电流:30A

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描述
应用于电源转换、电机驱动等场合,提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
20N06L-JSM
商品编号
C18187464
商品封装
TO-252​
包装方式
管装
商品毛重
0.627克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)40W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
输入电容(Ciss)1.7nF
反向传输电容(Crss)65pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)90pF

商品特性

  • 漏源电压VDS = 60V,漏极电流ID = 30A,当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 30mΩ
  • 低栅极电荷
  • 有环保型器件可供选择
  • 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻RDS(ON)
  • 封装散热性能优异

应用领域

  • 开关模式电源 (SMPS)
  • 不间断电源 (UPS)
  • 功率因数校正 (PFC)

数据手册PDF