20N03L-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:55A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- 20N03L-JSM
- 商品编号
- C18187760
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.627克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30V,漏极电流(ID) = 55A,当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 10mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻(RDS(ON))。
- 采用散热性能良好的出色封装。
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)
相似推荐
其他推荐
- HUF75332P3-JSM
- HUF75339P3-JSM
- IPP093N06N3G-JSM
- IPP120N06NG-JSM
- IRF1010EPBF-JSM
- IRF1405PBF-JSM
- IRF3205PBF-JSM
- IRF3205ZPBF-JSM
- IRF3710PBF-JSM
- IRF4905PBF-JSM
- IRF530NPBF-JSM
- IRF540NPBF-JSM
- FQU11P06TU-JSM
- IRF9540NPBF-JSM
- IRFB3607PBF-JSM
- IRFB3806PBF-JSM
- IRFB4020PBF-JSM
- IRFZ44NPBF-JSM
- IRFZ44VP-JSM
- IRFZ44VZPBF-JSM
- IRFZ44ZPBF-JSM