IRF540NPBF-JSM
1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷下提供优异的Rps(on),可应用于多种应用领域。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRF540NPBF-JSM
- 商品编号
- C18187910
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6969克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
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