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FQU11P06TU-JSM
FQU11P06TU-JSM
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- FQU11P06TU-JSM
- 商品编号
- C18187918
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -60V,ID = -20A,当VGS = -10V时,RDS(ON) < 68mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能良好
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)
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