50N03-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 适用于电池保护、负载开关及电源管理等领域。其优越的导通电阻和快速切换性能确保了在低压电路中的出色能效与稳定性。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- 50N03-JSM
- 商品编号
- C18186944
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.627克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 131pF |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- VDS = 30V,ID = 50A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 13 mΩ(典型值:9.5 mΩ)
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源