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TM4050GD
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V
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- 描述
- N沟道,40V,55A,4.2mΩ@10v,P沟道,-40V,-50A,11.5mΩ@-10v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM4050GD
- 商品编号
- C18186782
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 385pF |
商品特性
- N沟道:
- VDS = 40 V,ID = 50 A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) = 4.2 mΩ(典型值)
- P沟道:
- VDS = -40 V,ID = -50 A
- 当VGS = -10 V时,RDS(ON) = 11.5 mΩ(典型值)
- 100%进行了非钳位感性负载开关(UIS)测试
- 100%进行了栅极电阻(Rg)测试
应用领域
-负载开关-脉冲宽度调制(PWM)