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TMGN10060P
N沟道增强型MOSFET
- 描述
- N沟道,100V,60A,13.8mΩ@10v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TMGN10060P
- 商品编号
- C18186771
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
SVF3878P7是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰微专有的F-Cell™高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。
商品特性
- 100%进行了非钳位感性负载开关(UIS)测试
- 100%进行了栅极电阻(Rg)测试
- 绿色环保产品
应用领域
-负载开关-脉冲宽度调制(PWM)