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TM8090P
N沟道增强型MOSFET
- 描述
- 低RDS(ON)。 符合RoHS标准且无卤
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM8090P
- 商品编号
- C18186775
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.684克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 109.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 261pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 353pF |
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