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TMN6050F
N沟道增强型MOSFET
- 描述
- 特性：低RDS(ON)。 RoHS和无卤合规
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TMN6050F
- 商品编号
- C18186776
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.788克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 100%进行了栅极电阻（Rg）测试
- 封装：DFN5x6-8L
- 丝印：50P03
应用领域
- 负载开关-脉冲宽度调制(PWM)