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TMN3050Y
TMN3050Y
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- 描述
- N沟道,30V,50A,7.6mΩ@10v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TMN3050Y
- 商品编号
- C18186770
- 商品封装
- TO-251S-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.58375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.011nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 119pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 142pF |
商品概述
-低漏源导通电阻(RDS(ON))-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- V DS = 30V,I D = 50A
- R DS (ON) = 7.6 m Ω(典型值),V GS = 10 V
- 100% 经 UIS 测试
- 100% 经 Rg 测试
应用领域
-负载开关-脉宽调制(PWM)