温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TM50P03NF
P沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- P沟道,-30V,-50A,8.7mΩ@-10v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM50P03NF
- 商品编号
- C18186763
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1466克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 206pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 233pF |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 100%进行非钳位电感开关（UIS）测试
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 18A
- 导通电阻RDS(ON) = 12mΩ（典型值），栅源电压（VGS） = 10V
应用领域
- 负载开关-脉冲宽度调制(PWM)