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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TM30G03DF

N沟道+P沟道 30V 30A

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描述
N沟道,30V,33A,9mΩ@10v,P沟道,-30V,-28A,19mΩ@-10v
品牌名称
TMC(台懋)
商品型号
TM30G03DF
商品编号
C18186760
商品封装
PDFN3x3-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.0796克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V;19mΩ@10V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@10V;50nC@10V
输入电容(Ciss)580pF;1.15nF
反向传输电容(Crss)92pF;135pF
工作温度-
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)110pF;150pF

商品概述

  • 低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS和无卤标准

商品特性

  • VDS = 60V,ID = 50A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 14mΩ(典型值)
  • 100%经过单脉冲雪崩耐量测试
  • 100%经过栅极电阻测试
  • 环保型
  • 产品标识:50N06或018
  • 封装:TO - 220F

应用领域

  • 负载开关-脉冲宽度调制(PWM)

数据手册PDF