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TM100N04T
N沟道增强型MOSFET
- 描述
- 低导通电阻。符合RoHS和无卤标准
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM100N04T
- 商品编号
- C18186761
- 商品封装
- TO-263-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.043375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.139nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 385pF |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤素
商品特性
- 漏源电压VDS = 40V,漏极电流ID = 100A
- 栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) = 4.5 mΩ(典型值)
- 100%进行了非钳位感性负载开关(UIS)测试
- 100%进行了栅极电阻Rg测试
- 绿色环保产品
应用领域
-负载开关-脉冲宽度调制(PWM)