TS3DDR3812RUAR
TS3DDR3812RUAR
- 描述
- TS3DDR3812 适用于 DDR3 应用的 12 通道、1:2 多路复用器和多路信号分离器开关
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TS3DDR3812RUAR
- 商品编号
- C181266
- 商品封装
- WFQFN-42-EP(3.5x9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 2:1 | |
| 通道数 | 12 | |
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 导通电阻(Ron) | 8Ω |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 导通电容(Con) | 5.6pF | |
| 带宽 | 1.675GHz | |
| 传播延迟(tpd) | 40ps |
商品概述
TS3DDR3812是一款12通道、1:2复用器/解复用器开关,专为DDR3应用而设计。它采用3至3.6 V电源供电,具备低且平坦的导通电阻以及低I/O电容,典型带宽可达1.675 GHz。 通道A₀至A₁₁分为两组,每组6位,并通过两个名为SEL1和SEL2的数字输入进行独立控制。这些选择输入控制每个6位DDR3源的开关位置,并允许将它们路由到两个端点之一。或者,该开关可用于将单个端点连接到两个6位DDR3源之一。若要切换12位DDR3源,只需在外部将SEL1和SEL2连接在一起,并通过单个GPIO输入控制所有12个通道。使能(EN)输入可在芯片不使用时将其置于高阻抗(Hi-Z)状态。 这些特性使TS3DDR3812成为内存、模拟/数字视频、局域网和其他高速信号切换应用的理想选择。
商品特性
- 与DDR3 SDRAM标准(JESD79 - 3D)兼容
- 1.675 GHz宽带宽
- 低传播延迟(tₚd = 典型值40 ps)
- 低位间偏斜(tₛₖ₀ = 典型值±6 ps)
- 低且平坦的导通电阻(rₒₙ = 典型值8 Ω)
- 低输入/输出电容(Cₒₙ = 典型值5.6 pF)
- 低串扰(Xₜₐₗₖ = -43 dB,250 MHz时典型值)
- Vcc工作范围为3 V至3.6 V
- 数据I/O端口轨到轨切换(0至Vcc)
- 上下6通道独立开关控制逻辑
- 专用使能逻辑支持高阻抗(Hi - Z)模式
- IOFF保护可防止掉电状态(Vcc = 0 V)下的电流泄漏
- 静电放电(ESD)性能符合JESD22标准测试:2000 V人体模型(A114B,II类),1000 V带电器件模型(C101)
- 42引脚RUA封装(9×3.5 mm,0.5 mm间距)
应用领域
- DDR3信号切换
- 双列直插式内存模块(DIMM)
- 笔记本电脑/台式电脑
- 服务器
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(1个/圆盘,最小起订量 20 个)个
起订量:20 个1个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
