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TS3DDR3812RUAR

TS3DDR3812RUAR

描述
TS3DDR3812 适用于 DDR3 应用的 12 通道、1:2 多路复用器和多路信号分离器开关
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
TS3DDR3812RUAR
商品编号
C181266
商品封装
WFQFN-42-EP(3.5x9)​
包装方式
编带
商品毛重
1.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录模拟开关/多路复用器
开关电路2:1
通道数12
工作电压3V~3.6V
导通电阻(Ron)
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
导通电容(Con)5.6pF
带宽1.675GHz
传播延迟(tpd)40ps

商品概述

TS3DDR3812是一款12通道、1:2复用器/解复用器开关,专为DDR3应用而设计。它采用3至3.6 V电源供电,具备低且平坦的导通电阻以及低I/O电容,典型带宽可达1.675 GHz。 通道A₀至A₁₁分为两组,每组6位,并通过两个名为SEL1和SEL2的数字输入进行独立控制。这些选择输入控制每个6位DDR3源的开关位置,并允许将它们路由到两个端点之一。或者,该开关可用于将单个端点连接到两个6位DDR3源之一。若要切换12位DDR3源,只需在外部将SEL1和SEL2连接在一起,并通过单个GPIO输入控制所有12个通道。使能(EN)输入可在芯片不使用时将其置于高阻抗(Hi-Z)状态。 这些特性使TS3DDR3812成为内存、模拟/数字视频、局域网和其他高速信号切换应用的理想选择。

商品特性

  • 与DDR3 SDRAM标准(JESD79 - 3D)兼容
  • 1.675 GHz宽带宽
  • 低传播延迟(tₚd = 典型值40 ps)
  • 低位间偏斜(tₛₖ₀ = 典型值±6 ps)
  • 低且平坦的导通电阻(rₒₙ = 典型值8 Ω)
  • 低输入/输出电容(Cₒₙ = 典型值5.6 pF)
  • 低串扰(Xₜₐₗₖ = -43 dB,250 MHz时典型值)
  • Vcc工作范围为3 V至3.6 V
  • 数据I/O端口轨到轨切换(0至Vcc)
  • 上下6通道独立开关控制逻辑
  • 专用使能逻辑支持高阻抗(Hi - Z)模式
  • IOFF保护可防止掉电状态(Vcc = 0 V)下的电流泄漏
  • 静电放电(ESD)性能符合JESD22标准测试:2000 V人体模型(A114B,II类),1000 V带电器件模型(C101)
  • 42引脚RUA封装(9×3.5 mm,0.5 mm间距)

应用领域

  • DDR3信号切换
  • 双列直插式内存模块(DIMM)
  • 笔记本电脑/台式电脑
  • 服务器

交货周期

订货3-5个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 20 个)
起订量:20 个1个/圆盘

总价金额:

0.00

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