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LN2324DT2AG
1个N沟道 耐压:20V 电流:14A
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- 描述
- N沟道,20V,14A,10.5mΩ@4.5V
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LN2324DT2AG
- 商品编号
- C172432
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@2.5V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V
- 当栅源电压（VGS）为4.5V、漏源电流（IDS）为10A时，导通电阻（RDS(ON)） ≤ 10.5mΩ
- 当栅源电压（VGS）为2.5V、漏源电流（IDS）为8A时，导通电阻（RDS(ON)） ≤ 12.5mΩ
- 采用低导通电阻（RDS(ON)）沟槽技术。
- 低热阻。
- 开关速度快。
- 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤。
- S前缀适用于需要独特产地和控制变更要求的汽车及其他应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。
应用领域
- 电源路由
- 电平转换和驱动电路