LP0404N3T5G
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.4A
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- 描述
- P沟道,20V,1.4A,480mΩ@4.5V
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP0404N3T5G
- 商品编号
- C172433
- 商品封装
- SOT-883-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@1.5V,100mA | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 152pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 18.5pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20V
- 当栅源电压(VGS)为 -4.5V、漏源电流(IDS)为 -780mA 时,导通电阻 RDS(ON) ≤ 0.48Ω
- 当栅源电压(VGS)为 -2.5V、漏源电流(IDS)为 -660mA 时,导通电阻 RDS(ON) ≤ 0.67Ω
- 当栅源电压(VGS)为 -1.8V、漏源电流(IDS)为 -100mA 时,导通电阻 RDS(ON) ≤ 0.95Ω
- 当栅源电压(VGS)为 -1.5V、漏源电流(IDS)为 -100mA 时,导通电阻 RDS(ON) ≤ 2.2Ω
- 超高密度单元设计,实现极低的导通电阻 RDS(ON)。
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力。
- 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤。
- S 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC - Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统
