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LP0404N3T5G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LP0404N3T5G

1个P沟道 耐压:20V 电流:1.4A

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描述
P沟道,20V,1.4A,480mΩ@4.5V
商品型号
LP0404N3T5G
商品编号
C172433
商品封装
SOT-883-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.009克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.4A
导通电阻(RDS(on))2.2Ω@1.5V,100mA
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))1.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.8nC@4.5V
输入电容(Ciss)152pF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-
类型P沟道
输出电容(Coss)18.5pF

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = -20V
  • 当栅源电压(VGS)为 -4.5V、漏源电流(IDS)为 -780mA 时,导通电阻 RDS(ON) ≤ 0.48Ω
  • 当栅源电压(VGS)为 -2.5V、漏源电流(IDS)为 -660mA 时,导通电阻 RDS(ON) ≤ 0.67Ω
  • 当栅源电压(VGS)为 -1.8V、漏源电流(IDS)为 -100mA 时,导通电阻 RDS(ON) ≤ 0.95Ω
  • 当栅源电压(VGS)为 -1.5V、漏源电流(IDS)为 -100mA 时,导通电阻 RDS(ON) ≤ 2.2Ω
  • 超高密度单元设计,实现极低的导通电阻 RDS(ON)。
  • 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力。
  • 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤。
  • S 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC - Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。

应用领域

  • 笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统

数据手册PDF