LP2501DT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- P沟道,20V,4A,110mΩ@4.5V
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP2501DT1G
- 商品编号
- C172436
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 46pF |
商品特性
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) ≤110mΩ
- 在VGS = -2.5V时,RDS(ON) ≤150mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统
- 负载开关
- 数码相机
