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LP3415ELT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- P 沟道,-20V,-4A,60mΩ@-4.5V
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP3415ELT1G
- 商品编号
- C176901
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.97nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 36.45pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15.17pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 产品材料符合 RoHS 要求
- S 前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 驱动要求简单
- 封装外形小巧
- 表面贴装器件
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