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2DB1182Q-13
PNP 电流:2A 电压:32V
- 描述
- 特性：BVCEO > -32V。 Ic = -2A 高连续集电极电流。 ICM = -3A 峰值脉冲电流。 外延平面芯片结构。 低集电极-发射极饱和电压。 非常适合中功率开关或放大应用。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- 2DB1182Q-13
- 商品编号
- C176911
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.502克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 32V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 直流电流增益(hFE) | 120@0.5A,3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 110MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 800mV@2A,0.2A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |