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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LRC6N33YT1G

1个N沟道 耐压:50V 电流:200mA

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描述
PNP+N沟道
商品型号
LRC6N33YT1G
商品编号
C172438
商品封装
U-DFN2020-6D​
包装方式
编带
商品毛重
0.024克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on))10Ω@5V
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
输入电容(Ciss)22.8pF
反向传输电容(Crss)2.9pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 静电防护:1500V
  • 紧凑型封装,高电流承载能力。
  • 外延平面型。
  • 低阈值电压(VGS(th):0.9V...1.5V),非常适合低压应用。
  • 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤。
  • S 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC - Q101 标准,可提供生产件批准程序(PPAP)文件。

应用领域

  • 充电电路
  • 便携式设备中的其他电源管理

数据手册PDF