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LP3218DT1G
1个P沟道 耐压:12V 电流:8.2A
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- 描述
- P沟道,12V,8.2A,18mΩ@4.5V
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP3218DT1G
- 商品编号
- C172437
- 商品封装
- DFN2020-6S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品特性
- 低外形DFN 2.0 x 2.0 x 0.62 mm封装,节省电路板空间
- 超低导通电阻RDS(on)
- 静电二极管,保护栅极
- 这是一款无铅器件
- 我们声明产品材料无卤素且符合RoHS要求。
应用领域
- 电池开关
- 高端负载开关
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