温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ZXMN2F30FHTA
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N沟道，20V,4.1A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN2F30FHTA
- 商品编号
- C155325
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 452pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代沟槽 MOSFET 具备在低（2.5V）栅极驱动下实现低导通电阻的特性。
商品特性
- 低导通电阻
- 具备 2.5V 栅极驱动能力
- SOT23 封装
应用领域
- 降压/升压型 DC-DC 转换器
- 负载开关和开关电源
- 便携式设备充电应用
- 电机控制
- LED 照明