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DMP1022UFDF-7
1个P沟道 耐压:12V 电流:9.5A
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- 描述
- 这款MOSFET专为电池管理应用而设计。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP1022UFDF-7
- 商品编号
- C155358
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 730mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48.3nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.712nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 467pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款MOSFET专为电池管理应用而设计。
商品特性
- 0.6mm超薄厚度——适用于低外形应用
- 4mm²的PCB占位面积
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件