温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ZXMN6A25DN8TA
2个N沟道 耐压:60V 电流:3.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 双N沟道，60V,5A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN6A25DN8TA
- 商品编号
- C155386
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V,4.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.063nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 104pF |
商品概述
这款新一代沟槽 MOSFET 采用独特结构，兼具低导通电阻和快速开关的优势，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
~~- 低导通电阻-快速开关速度-低栅极驱动-薄型 SO8 封装
应用领域
- 直流-直流转换器-电源管理功能-电机控制