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DZT5551-13
NPN 电流:600mA 电压:160V
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- 描述
- 特性：BVCEO > 160V。 BVEBO > 6V。 连续集电极电流 IC = 600mA。 低饱和电压（最大150mV @ 10mA）。 hFE在高达50mA时指定，以实现高增益保持。 互补PNP类型：DZT5401。应用：高压放大应用。 高压开关应用
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DZT5551-13
- 商品编号
- C155393
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.232克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 600mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 160V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 150mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个NPN |
- RS1MDFQ-13
- MLX90248ESE-EBA-000-RE
- 2-2008H06P-0000
- 2-2008H08P-0000
- 2-2008H10P-0000
- 2-2008H12P-0000
- W-2008R20P-W200
- W-2008R06P-W200
- W-2008R08P-W200
- W-2008R10P-W200
- W-2008R12P-W000
- W-2008R16P-W000
- W-2006R18P-B000
- W-2008S06P-0200
- W-2008S08P-0200
- W-2008S10P-0200
- W-2008S12P-0200
- W-2008S14P-0200
- W-2008S16P-0200
- 3-2008T012-D000
- 2-2501H10P-0000