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DMN3033LSNQ-7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN3033LSNQ-7

1个N沟道 耐压:30V 电流:6A

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描述
这款新一代小信号增强型 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关的特点,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMN3033LSNQ-7
商品编号
C156290
商品封装
SC-59​
包装方式
编带
商品毛重
0.037克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@4.5V,5A
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))2.1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10.5nC@5V
输入电容(Ciss)755pF
反向传输电容(Crss)108pF
工作温度-55℃~+150℃
类型-
输出电容(Coss)136pF

数据手册PDF