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DMN3032LE-13
耐压:30V 电流:15.4A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3032LE-13
- 商品编号
- C156338
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.232克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 14W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 498pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
- 直流电机控制-直流-交流逆变器