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BSS8402DW-7-F
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:130mA
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- BSS8402DW-7-F
- 商品编号
- C156386
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5Ω@10V,115mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
这款MOSFET的设计旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 互补对
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- BSS8402DWQ适用于需要特定变更控制的汽车应用；该器件符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 通用接口开关-电源管理功能-模拟开关