温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

TXS4555RGTR

带电平转换器的1.8V/3V SIM卡电源

描述: 具有电平转换器的 SIM 卡电源 16-VQFN -40 to 85
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: TXS4555RGTR
商品编号: C156359
商品封装: VQFN-16(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.327273克(g)

商品参数

	属性	参数值
	每个电路通道数	1
	输出类型	三态
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	输出使能高阻；集成上拉电阻
	灌电流(IOL)	-
	拉电流(IOH)	-
	接口类型	-
	芯片类型	电平转换器

商品概述

TXS4555是一款完整的智能识别模块SIM卡解决方案，用于实现无线基带处理器与SIM卡之间的接口连接，为移动手持设备应用存储输入输出。该器件符合智能卡接口标准要求以及GSM和3G移动标准，内置可支持B类2.95 V和C类1.8 V接口的高速电平转换器，以及输出电压可在2.95 V B类和1.8 V C类之间选择的低压差LDO稳压器。裸露中心散热焊盘必须接地，器件拥有两个供电电压引脚，VCC可在1.65 V~3.3 V全范围工作，VBAT工作范围为2.3 V~5.5 V，VPWR可设置为1.8 V或2.95 V，由内部LDO供电。集成的LDO可接受最高5.5 V的输入电压，可向B侧电路和外部SIM卡输出50 mA电流的1.8 V或2.95 V电压，支持设计人员轻松实现低压微处理器与工作在1.8 V或2.95 V的SIM卡对接。器件集成了符合ISO 7816-3规范的SIM卡引脚关闭序列，正确关闭SIM卡信号可避免设备意外关机时发生数据损坏，SIM卡热插拔拔出时，有序的信号关闭也可避免数据被不正确写入或损坏。SIM引脚内置2K下拉值，可将通道拉低，关闭时序为几微秒量级，需要在VBAT和VCC供电下降前将EN置低，才能正确启动关闭序列。集成的LDO可实现超宽带宽和高环路增益，在极低净空条件下可实现高电源抑制比。

商品特性

集成电平转换功能
VCC工作范围1.65 V~3.3 V
VBAT工作范围2.3 V~5.5 V
集成低压差LDO稳压器
50mA LDO稳压器带使能功能
输出电压可选择1.8 V或2.95 V
LDO输入电压范围2.3 V~5.5 V
50mA电流条件下最大压差为100 mV
集成符合ISO-7816-3标准的SIM卡信号关闭功能
静电放电防护符合JESD 22标准，所有引脚满足2000V人体模型、500V充电器件模型要求，SIM引脚满足8kV人体模型要求
提供两种封装可选：16引脚QFN 3 mm×3 mm、12引脚QFN 2 mm×1.7 mm
SIM引脚内置2K下拉结构

应用领域

移动手持设备SIM卡接口
低压微处理器与SIM卡的对接应用

	属性	参数值
	商品目录	转换器/电平移位器
	通道类型	双向
	输入信号	-
	输出信号	-
	数据速率	-
	工作电压(VCCA)	1.65V~3.3V
	工作电压(VCCB)	2.3V~5.5V
	元件数	1