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DMN2014LHAB-7
2个N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 双N沟道，20V，9A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2014LHAB-7
- 商品编号
- C156328
- 商品封装
- U-DFN2030-6B-EP
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@1.8V,6.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on) ，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-栅极具备ESD保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- 电源管理功能-电池组-负载开关