温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN6013LFG-7
1个N沟道 耐压:60V 电流:10.3A 电流:45A
- 描述
- 此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN6013LFG-7
- 商品编号
- C156317
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.577nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 132pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 162pF |
商品概述
NCE0102采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 低RDS(ON)—确保将导通损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,可实现更小尺寸的终端产品
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
- 通过AEC - Q101标准认证,可靠性高
应用领域
- 背光照明
- 电源管理功能
- DC - DC转换器