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ZVP2110GTA
P沟道 耐压:100V 电流:310mA
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- 描述
- P沟道,-100V,-310mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZVP2110GTA
- 商品编号
- C156324
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.232克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 310mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 无铅涂层；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 高效电源管理应用