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1N5818-T

电压:30V 电流:1A

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描述
特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 低功耗、高效率。 高浪涌能力。 高电流能力和低正向压降。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 无铅涂层,符合 RoHS 标准
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
1N5818-T
商品编号
C156296
商品封装
DO-41​
包装方式
编带
商品毛重
0.448克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录肖特基二极管
正向压降(Vf)550mV@1A
直流反向耐压(Vr)30V
整流电流1A
属性参数值
反向电流(Ir)1mA@30V
工作结温范围-65℃~+125℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)25A

数据手册PDF

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