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ZXMN10A08E6TA
1个N沟道 耐压:100V 电流:1.5A
- 描述
- N沟道，100V,1.9A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN10A08E6TA
- 商品编号
- C155389
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@6V,2.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28.2pF |
商品概述
这款MOSFET采用独特结构，兼具低导通电阻和快速开关的优势，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤和无锑，“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证，具备高可靠性
应用领域
- DC - DC转换器
- 电源管理功能
- 断开开关
- 电机控制