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DMN10H170SK3-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:12A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN10H170SK3-13
- 商品编号
- C156269
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.534克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.167nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 36pF |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-完全无铅-完全符合RoHS标准-无卤素和锑-“绿色”器件-通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
-直流-直流转换器-电源管理功能-模拟开关