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DMG9926UDM-7
2个N沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 双N沟道，20V，4.2A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG9926UDM-7
- 商品编号
- C156289
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 980mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 856pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 83pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低栅极电荷
- 低RDS(ON)
- 在 VGS = 4.5 V 时为 28 m Ω
- 在 VGS = 2.5 V 时为 32 m Ω
- 在 VGS = 1.8 V 时为 40 m Ω
- 低输入/输出泄漏电流
- 设计无铅/符合 RoHS 标准
- 符合 AEC - Q101 高可靠性标准
- “绿色”器件
应用领域
- 通用接口开关
- 电源管理功能
- 模拟开关