温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN62D0LFD-7
1个N沟道 耐压:60V 电流:310mA
- 描述
- 这款新一代 MOSFET 的设计旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想之选。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN62D0LFD-7
- 商品编号
- C155366
- 商品封装
- X1-DFN1212-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 310mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 480mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 31pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.3pF |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 51000 个)个
起订量：51000 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单