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DMN21D2UFB-7B
1个N沟道 耐压:20V 电流:760mA
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- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN21D2UFB-7B
- 商品编号
- C155328
- 商品封装
- X1-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 760mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 930pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 27.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效率电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压,最大1.0V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 超小表面贴装封装,尺寸为1mm x 0.6mm
- 低封装高度,最大封装高度为0.5mm
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准(参考AEC - Q),具备高可靠性
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能-模拟开关