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DMC2020USD-13
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:8.5A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC2020USD-13
- 商品编号
- C155342
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A；6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V；20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W；1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V；700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC@4.5V；15.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.149nF；1.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 142pF；145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 157pF；157pF |
商品概述
这款MOSFET经过精心设计，可将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
- 在单个SO8封装中集成两个分立器件,减小了占位面积
- 低栅极驱动
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电(ESD)防护能力高达2kV
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准(参考AEC-Q),具备高可靠性
应用领域
- 电机控制
- DC-DC转换器
- 电源管理功能
- 笔记本电脑和打印机