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DMT5015LFDF-7
1个N沟道 耐压:50V 电流:9.1A
- 描述
- N沟道，50V,9.1A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT5015LFDF-7
- 商品编号
- C155364
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 902.7pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 301.4pF |
商品概述
这款 MOSFET 旨在将导通电阻 RDS(ON) 降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 0.6mm 超薄厚度——适用于低外形应用
- 4 mm^2 PCB 占位面积
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 完全无铅,完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-负载开关-适配器开关-笔记本电脑