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FZT1151ATA
PNP 电流:3A 电压:40V
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- 描述
- 特性：BVCEO >-40V。 高连续集电极电流：IC =-3A。 峰值脉冲电流：ICM =-5A。 低饱和电压：VCE(sat) <-140mV @-1A。 hFE指定高达-5A以实现高增益保持。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该部件符合JEDEC标准，具有高可靠性
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- FZT1151ATA
- 商品编号
- C155344
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.232克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 直流电流增益(hFE) | 180@3A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 145MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@3A,250mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
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