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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZVN4306GTA

1个N沟道 耐压:60V 电流:2.1A

描述
这款MOSFET旨在将导通电阻降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合用于高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
ZVN4306GTA
商品编号
C154741
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.189克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)2.1A
导通电阻(RDS(on))220mΩ@10V
耗散功率(Pd)3W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)350pF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)140pF

商品概述

这款MOSFET旨在将导通状态电阻降至最低,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 漏源击穿电压(V(BR)DSS)> 60 V
  • 栅源电压(VGS)为10 V时,导通电阻(RDS(on))≤ 0.33 Ω
  • 无铅涂层;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件

应用领域

  • 直流 - 直流转换器
  • 汽车应用中的螺线管/继电器驱动器

数据手册PDF