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DMN6068LK3-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN6068LK3-13

1个N沟道 耐压:60V 电流:8.5A

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描述
60V N沟道增强型MOSFET。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMN6068LK3-13
商品编号
C154756
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.503克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)8.5A
导通电阻(RDS(on))100mΩ@4.5V,6A
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10.3nC@10V
输入电容(Ciss)502pF
反向传输电容(Crss)27.1pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)45.7pF

商品概述

这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试
  • 低导通电阻
  • 快速开关速度
  • 无铅涂层;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件
  • 符合AEC-Q101高可靠性标准

应用领域

  • 电机控制
  • 变压器驱动开关
  • DC-DC转换器
  • 电源管理功能
  • 不间断电源

数据手册PDF