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DMC2004DWK-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:540mA
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压：VGS(th) < 1V。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 互补对MOSFET。 超小表面贴装封装。 ESD保护栅极。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC2004DWK-7
- 商品编号
- C154762
- 商品封装
- SC-70-6(SOT-363)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 540mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@4.5V；700mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 175pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压VGS(th) < 1V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 互补对MOSFET
- 超小型表面贴装封装
- 静电放电保护栅极
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件