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DMG6898LSD-13
N沟道 耐压:20V 电流:9.5A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：背光、电源管理功能、DC - DC转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG6898LSD-13
- 商品编号
- C154904
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.248克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.149nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 142pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 157pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：
- 背光照明
- 电源管理功能
- DC-DC转换器
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电(ESD)防护达2kV
- 生产过程中进行100%无钳位感性开关(UIS)测试 - 确保终端应用更可靠、更耐用
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- DMG6898LSDQ适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器