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DMG6898LSD-13实物图
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DMG6898LSD-13

N沟道 耐压:20V 电流:9.5A

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描述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景:背光、电源管理功能、DC - DC转换器。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMG6898LSD-13
商品编号
C154904
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.248克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)9.5A
导通电阻(RDS(on))11mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.28W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)26nC@10V
输入电容(Ciss)1.149nF
反向传输电容(Crss)142pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)157pF

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
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