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DMN5L06K-7
1个N沟道 耐压:50V 电流:300mA
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- 描述
- N沟道,50V,300mA,2Ω@5V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN5L06K-7
- 商品编号
- C155231
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@2.5V,50mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@50mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
这款新一代 50V N 沟道增强型 MOSFET 旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压（最大 1.0V）
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电 (ESD) 防护能力高达 2kV
- 完全无铅且符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，属于“绿色”器件
- 通过 AEC-Q101 标准认证，具备高可靠性
应用领域
- 笔记本电脑电池电源管理-负载开关