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ZXMN3A03E6TA
1个N沟道 耐压:30V 电流:4.6A
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- 描述
- N沟道,30V,3.7A,50mΩ@10V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN3A03E6TA
- 商品编号
- C155281
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 104pF |
商品概述
新一代TRENCH MOSFET采用独特结构，兼具低导通电阻和快速开关速度的优势。这使其非常适合高效率、低电压的电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-快速开关速度-低阈值-低栅极驱动-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-直流-直流转换器-电源管理功能-断开开关-电机控制