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BC847BFA-7B
NPN 电流:100mA 电压:45V
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- 描述
- 特性：BVCEO > 45V。 集电极电流高：IC = 100mA。 功率耗散：PD = 435mW。 封装占地面积0.48mm²，比SOT23小16倍。 封装高度0.4mm，可减少板外轮廓。 互补PNP型BC857BFA。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 有单独数据手册的汽车兼容部件（BC847BFAQ）
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- BC847BFA-7B
- 商品编号
- C155299
- 商品封装
- DFN-3(0.8x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.007克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
| 耗散功率(Pd) | 435mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 200@2.0mA,5.0V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 170MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 50mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
商品特性
- 集电极-发射极击穿电压（BVCEO） > 45 V
- 集电极电流（IC） = 100 mA，高集电极电流
- 功耗（PD） = 435 mW
- 封装占位面积 0.48 mm²，比 SOT23 小 16 倍
- 封装高度 0.4 mm，最大限度降低板外轮廓
- 互补 PNP 型 BC857BFA
- 完全无铅，完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
- 另有符合汽车应用要求的产品规格书（BC847BFAQ）
优惠活动
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起订量：5 个10000个/圆盘
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