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ZXTD4591E6TA
NPN+PNP 电流:1A 电压:60V
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- 描述
- 特性：NPN晶体管:BVCEO > 60V，IC = 1A连续集电极电流。低饱和电压（最大500mV @ 1A）。hFE特性可达2A。RSAT = 210mΩ @ 1A，低等效导通电阻。PNP晶体管:BVCEO > -60V，IC = -1A连续集电极电流。低饱和电压（最大-600mV @ -1A）。应用：MOSFET栅极驱动器。低功率电机驱动器
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXTD4591E6TA
- 商品编号
- C155320
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 80@1A,5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 180MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV@1A,100mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |