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FZT949TA
中功率晶体管 PNP 电流:5.5A 电压:30V
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- 描述
- 特性：BVCEO > -30V。 高连续集电极电流：IC = -5.5A。 峰值脉冲电流：IC = -20A。 低饱和电压：VCE(sat) < -140mV @ -1A。 hFE 指定至 -20A，实现高增益保持。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，环保器件。 该器件符合 JEDEC 标准（如 AEC-Q 中引用），具有高可靠性
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- FZT949TA
- 商品编号
- C155288
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.232克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 5.5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 直流电流增益(hFE) | 100@1A,1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 140mV@1A,20mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
| 数量 | 1个PNP |
优惠活动
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